硅基單片集成 9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片

〖簡介Introduction〗

單片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時(shí)延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時(shí)延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit。相比于傳統(tǒng)采用微波傳輸線的電時(shí)延芯片，光時(shí)延器可以適用任意的微波和毫米波頻段，具有極低的串?dāng)_非目標(biāo)時(shí)延信號消光比。最大時(shí)延 1ns 的 9bit 可調(diào)光延時(shí)芯片尺寸小至 2cm×1.5cm，大幅度減小系統(tǒng)體積；由于光載波頻率相對于微波信號大至 4 個(gè)數(shù)量級的頻率比，光子集成的時(shí)延器芯片具有覆蓋從米波到毫米波全頻段的信號處理能力，適合各類超寬帶相控陣的波束合成應(yīng)用。

〖特性Features〗

n 高速切換（100～200ns）

n 高延時(shí)精度（0.5ps 典型值，0.2ps 可達(dá)）

n 超小尺寸

n 超寬帶工作

n 全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強(qiáng)

n 大時(shí)延范圍(～2ns 可達(dá))

n 高功率耐受度（ 23dBm 典型值）

應(yīng)用Applications〗

n 光控相控陣系統(tǒng)、超寬帶光域信號處理

〖主要性能指標(biāo) Specifications〗

9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片 SOI 硅光子技術(shù)

9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片 SOI 硅光子技術(shù)